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          當氮化鎵遇上了USB PD普及,風口即將來臨!

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2019-05-17 09:31
            GaN中文名氮化鎵,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫等多種優點,被譽為第三代半導體材料,而將GaN氮化鎵功率器件導入到充電器中,將會給體積帶來顯著變化,幫助到快充實現輕薄化、小型化,常見于USB PD快充等中高階產品中,可以在超小的體積上實現大功率輸出,改變行業設計制造方案、改變消費者使用習慣。
            
            據相關數據顯示統計,2019年,搭載USB Type-C接口的設備出貨量預計將達到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將達到80%,在智能手機和平板電腦等產品中的滲透率也將達到50%。未來,所有使用USB的設備皆有可能統一為Type-C,這一次,氮化鎵遇上了USB PD普及,風口即將來臨。
           
            
            不過目前氮化鎵充電器正從實驗室走向市場,面臨著商用化的挑戰,價格極貴,后期將隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等,會逐漸走向平民化,而最終也將會取代傳統的硅基功率器件,在氮化鎵充電器尚未普及之前,讓我們先了解下基于N8161+PN8307H的18W PD快充電源應用方案。
            
            PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。
            
            PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。
           
            
            18W PD快充方案亮點:  
            節省10顆以上外圍:無啟動電阻、無CS偵測網絡,原副邊均實現SOP8功率集成;  
            滿足CoC V5 Tier 2:專利高壓啟動,實現30mW待機功耗;工作曲線隨輸出電壓自適應,不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個點;  
            EMC性能卓越:抖頻幅度隨負載自適應,改善傳導;DCM/QR工作模式,避免次級整流管反向恢復問題,改善輻射;  
            3.3~12V寬輸出電壓范圍:PN8161/PN8307H供電范圍寬,無需額外LDO穩壓;  
            協議芯片任意搭:SSR架構,方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
            
            在參數方面,18W PD快充充電器方案支持90~265Vac范圍的交流電壓輸入,擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過溫保護、逐周期過流保護、次級整流管短路保護等,USB-C口支持最大18W輸出,輸出規格支持12V1.5A;9V2A;5V3A,滿足CoC V5-2,4個點裕量,可為手機、筆記本、游戲機等設備匹配最佳充電電壓,如果需要產品的詳細手冊或其他資料,可向驪微電子申請。>>
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