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          半導體資本2017年支出將達723.05億美元

          字號:T|T
          文章出處:驪微電子責任編輯:admin人氣:-發表時間:2017-03-07 16:34
              市調機構IC Insights統計指出,今年全球半導體資本支出將較去年再增加6%,預期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數,臺積電則減2%,使得臺積電今年資本支出預估100億美元,低于英特爾的120億美元、退居第三位。
           
              IC Insights統計,今年全球半導體資本支出將達723.05億美元,其中,韓國三星今年資本支出居冠為125億美元,年增11%;美國英特爾估為120億美元,今年資本支出較去年大幅增加25%。臺積電去年資本支出估約102.49億美元新高,今年則是100億美元,居于第三。
                                               
              IC Insights統計中看出,前十大廠商有兩家今年資本支出成長在兩成以上,分別是英特爾的年增25%與格羅方德(GlobalFoundries)的33%。格羅方德去年資本支出大減62%,今年資本支出為20億美元,且預計直接挑戰7nm制程。
           
              目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺積電更取得優勢地位;董事長張忠謀2日表示,今年全球半導體市場會表現不錯,預估將較去年成長4%-5%,臺積電會優于產業成長率,預估今年臺積電營收會有5%-10%成長,臺積電的制程技術亦超越任何競爭者。
                                              
              另外,DRAM市況持續看好,三星、海力士預估將增加資本支出11%與16%。另一家存儲器廠美光,去年資本支出成長28%;美光去年底收購華亞科后,今年資本支出則年減13%為50億美元。
           
              此外,晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%,但今年預估資本支出年減12%為23億美元。至于聯電去年資本支出估達28.42億美元新高,今年預估降3成至20億美元。
           
            
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